• 1. 浙江大學(xué)醫(yī)學(xué)院附屬第二醫(yī)院 神經(jīng)內(nèi)科 癲癇中心(杭州 310009);
  • 2. 悉尼大學(xué) Westmead 醫(yī)院;

引用本文: 趙澤仙, Chong-HueyWong, 王爽, 廖偉, AndrewBleasel. 顳葉內(nèi)側(cè)癲癇中復(fù)雜部分性發(fā)作時(shí)的腦血流變化. 癲癇雜志, 2021, 7(5): 468-468. doi: 復(fù)制

版權(quán)信息: ?四川大學(xué)華西醫(yī)院華西期刊社《癲癇雜志》版權(quán)所有,未經(jīng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、改編

背景 單光子發(fā)射體層成像(Single photon emission computed tomography,SPECT)能反映注射示蹤劑時(shí)刻的大腦活動(dòng)水平。本研究觀察了顳葉內(nèi)側(cè)癲癇(Mesial temporal lobe epilepsy,mTLE)患者的復(fù)雜部分性發(fā)作(Complex partial seizures,CPS)時(shí)的高灌注和低灌注區(qū)域,旨在揭示發(fā)作期的腦網(wǎng)絡(luò)變化和意識障礙機(jī)制。

方法 研究共納入了 30 例 mTLE 患者[女:12 例,平均年齡(16±12)歲,平均注射時(shí)間:(85.6±63.6)s,18~367 s],他們均在接受視頻腦電監(jiān)測時(shí)出現(xiàn) CPS 發(fā)作時(shí)注射 99mTc-六甲基丙烯胺肟(HMPAO)。根據(jù)發(fā)作注射時(shí)間共分為 5 組:發(fā)作早期,發(fā)作中期,發(fā)作晚期(分別為 CPS 發(fā)作開始后的 20~40 s,40~60 s 及> 60 s),發(fā)作后早期及發(fā)作后晚期(分別為腦電圖發(fā)作結(jié)束后的 0~20 s 和>20 s)。每例患者另接受發(fā)作間期的 SPECT 掃描。右側(cè) mTLE 發(fā)作期和發(fā)作間期的 SPECT 圖像向左翻轉(zhuǎn),成為統(tǒng)一的數(shù)據(jù)集。通過發(fā)作-發(fā)作間期 SPECT 分析統(tǒng)計(jì)參數(shù)圖(ISAS)來確定高灌注區(qū)和低灌注區(qū)(校正后顯著性 P<0.05)。通過發(fā)作期-發(fā)作間期掃描數(shù)據(jù)相減、標(biāo)準(zhǔn)化并與 AAL 模板配準(zhǔn),計(jì)算所有腦區(qū)的血流灌注平均變化率。

結(jié)果 ISAS 分析顯示發(fā)作早期同側(cè)顳葉內(nèi)側(cè)(Mesial temporal lobe,MTL)明顯呈高灌注。發(fā)作中期的高灌注區(qū)包含顳葉外側(cè)(Lateral temporal lobe,LTL),至發(fā)作晚期高灌注區(qū)域延伸至同側(cè)緣上回皮質(zhì)?;坠?jié)在整個(gè)發(fā)作過程中逐漸高灌注。在雙側(cè)枕葉也觀察到了發(fā)作高灌注。發(fā)作后期的結(jié)果顯示,同側(cè)顳葉在發(fā)作后早期表現(xiàn)為低灌注,而對側(cè)顳葉內(nèi)側(cè)從發(fā)作中期到發(fā)作后均為低灌注。發(fā)作后高灌注還見于對側(cè)角回。在 CPS 發(fā)作期,低灌注區(qū)包括默認(rèn)模式網(wǎng)絡(luò)(Default mode network,DMN)環(huán)路,包括雙側(cè)前額葉內(nèi)側(cè)皮質(zhì)(mPFC),前扣帶皮層(ACC)、后扣帶回皮質(zhì)(PCC)及同側(cè)角回。平均灌注百分比分析顯示,同側(cè) MTL,LTL 及基底節(jié)在發(fā)作期逐漸高灌注。相反,雙側(cè) mPFC 和 ACC 在整個(gè)發(fā)作期和發(fā)作后期保持低灌注,同側(cè)角回在發(fā)作期為低灌注。

結(jié)論 本研究發(fā)現(xiàn)同側(cè)顳葉和基底節(jié)在 CPS 整個(gè)發(fā)作期呈明顯高灌注,表明 mTLE 具有可靠的定側(cè)性。另外,低灌注區(qū)包括大腦的 DMN 的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),這些節(jié)點(diǎn)在發(fā)作中的抑制可能與意識改變的機(jī)制相關(guān)。

摘譯自:Z Zhao,C Wong,S Wang,W Liao,A Bleasel. Cerebral blood flow interactions during complex partial seizures in patients with mesial temporal lobe epilepsy. American epilepsy society.https://www.aesnet.org/meetings_events/annual_meeting_abstracts/view/2327400#sthash.HqOUluKz.dpuf.

背景 單光子發(fā)射體層成像(Single photon emission computed tomography,SPECT)能反映注射示蹤劑時(shí)刻的大腦活動(dòng)水平。本研究觀察了顳葉內(nèi)側(cè)癲癇(Mesial temporal lobe epilepsy,mTLE)患者的復(fù)雜部分性發(fā)作(Complex partial seizures,CPS)時(shí)的高灌注和低灌注區(qū)域,旨在揭示發(fā)作期的腦網(wǎng)絡(luò)變化和意識障礙機(jī)制。

方法 研究共納入了 30 例 mTLE 患者[女:12 例,平均年齡(16±12)歲,平均注射時(shí)間:(85.6±63.6)s,18~367 s],他們均在接受視頻腦電監(jiān)測時(shí)出現(xiàn) CPS 發(fā)作時(shí)注射 99mTc-六甲基丙烯胺肟(HMPAO)。根據(jù)發(fā)作注射時(shí)間共分為 5 組:發(fā)作早期,發(fā)作中期,發(fā)作晚期(分別為 CPS 發(fā)作開始后的 20~40 s,40~60 s 及> 60 s),發(fā)作后早期及發(fā)作后晚期(分別為腦電圖發(fā)作結(jié)束后的 0~20 s 和>20 s)。每例患者另接受發(fā)作間期的 SPECT 掃描。右側(cè) mTLE 發(fā)作期和發(fā)作間期的 SPECT 圖像向左翻轉(zhuǎn),成為統(tǒng)一的數(shù)據(jù)集。通過發(fā)作-發(fā)作間期 SPECT 分析統(tǒng)計(jì)參數(shù)圖(ISAS)來確定高灌注區(qū)和低灌注區(qū)(校正后顯著性 P<0.05)。通過發(fā)作期-發(fā)作間期掃描數(shù)據(jù)相減、標(biāo)準(zhǔn)化并與 AAL 模板配準(zhǔn),計(jì)算所有腦區(qū)的血流灌注平均變化率。

結(jié)果 ISAS 分析顯示發(fā)作早期同側(cè)顳葉內(nèi)側(cè)(Mesial temporal lobe,MTL)明顯呈高灌注。發(fā)作中期的高灌注區(qū)包含顳葉外側(cè)(Lateral temporal lobe,LTL),至發(fā)作晚期高灌注區(qū)域延伸至同側(cè)緣上回皮質(zhì)?;坠?jié)在整個(gè)發(fā)作過程中逐漸高灌注。在雙側(cè)枕葉也觀察到了發(fā)作高灌注。發(fā)作后期的結(jié)果顯示,同側(cè)顳葉在發(fā)作后早期表現(xiàn)為低灌注,而對側(cè)顳葉內(nèi)側(cè)從發(fā)作中期到發(fā)作后均為低灌注。發(fā)作后高灌注還見于對側(cè)角回。在 CPS 發(fā)作期,低灌注區(qū)包括默認(rèn)模式網(wǎng)絡(luò)(Default mode network,DMN)環(huán)路,包括雙側(cè)前額葉內(nèi)側(cè)皮質(zhì)(mPFC),前扣帶皮層(ACC)、后扣帶回皮質(zhì)(PCC)及同側(cè)角回。平均灌注百分比分析顯示,同側(cè) MTL,LTL 及基底節(jié)在發(fā)作期逐漸高灌注。相反,雙側(cè) mPFC 和 ACC 在整個(gè)發(fā)作期和發(fā)作后期保持低灌注,同側(cè)角回在發(fā)作期為低灌注。

結(jié)論 本研究發(fā)現(xiàn)同側(cè)顳葉和基底節(jié)在 CPS 整個(gè)發(fā)作期呈明顯高灌注,表明 mTLE 具有可靠的定側(cè)性。另外,低灌注區(qū)包括大腦的 DMN 的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),這些節(jié)點(diǎn)在發(fā)作中的抑制可能與意識改變的機(jī)制相關(guān)。

摘譯自:Z Zhao,C Wong,S Wang,W Liao,A Bleasel. Cerebral blood flow interactions during complex partial seizures in patients with mesial temporal lobe epilepsy. American epilepsy society.https://www.aesnet.org/meetings_events/annual_meeting_abstracts/view/2327400#sthash.HqOUluKz.dpuf.